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参数资料
| 型号： | SI1471DH-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V SC-70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 445pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.78W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1471DH-T1-GE3DKR |
Package Information
Vishay Siliconix
SC 70:
6 LEADS
MILLIMETERS
INCHES
6
1
5
2
4
3
E 1 E
-B-
Dim
A
A 1
A 2
b
Min
0.90
–
0.80
0.15
Nom
–
–
–
–
Max
1.10
0.10
1.00
0.30
Min
0.035
–
0.031
0.006
Nom
–
–
–
–
Max
0.043
0.004
0.039
0.012
c
0.10
–
0.25
0.004
–
0.010
e
e 1
b
D
E
1.80
1.80
2.00
2.10
2.20
2.40
0.071
0.071
0.079
0.083
0.087
0.094
D
-A-
A 2 A
c
E 1
e
e 1
1.15
1.20
1.25
0.65BSC
1.30
1.35
1.40
0.045
0.047
0.049
0.026BSC
0.051
0.053
0.055
L
0.10
0.20
0.30
0.004
0.008
0.012
Document Number: 71154
06-Jul-01
A 1
L
7 _ Nom
ECN: S-03946—Rev. B, 09-Jul-01
DWG: 5550
7 _ Nom
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SI1472DH-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 5.6A 2.8W 57mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1473DH | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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