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参数资料
| 型号： | SI1902DL-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6 |
| 产品目录绘图： | DL-T1-E3 Series SOT-363 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 660mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 385 毫欧 @ 660ma，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.2nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 270mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1902DL-T1-GE3DKR |
Si1902DL
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( ? )
I D (A)
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
20
0.385 at V GS = 4.5 V
0.630 at V GS = 2.5 V
0.70
0.54
? TrenchFET ? Power MOSFETs: 2.5 V Rated
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
S 1
1
6
D 1
g
Marking in Code o d e
P PA A X
G 1
2
5
G 2
Lot Traceability
and Date Code
D 2
3
4
S 2
Part # Code
Top V iew
Ordering Information: Si1902DL-T1-E3 (Lead (Pb)-free with Tape and Reel)
Si1902DL-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
20
±12
Steady State
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
0.70
0.50
1
0.66
0.48
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
0.25
0.23
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 85 °C
P D
T J , T stg
0.30
0.16
- 55 to 150
0.27
0.14
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ?? 5 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
360
400
300
415
460
350
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71080
S11-2043-Rev. J, 17-Oct-11
www.vishay.com
1
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI1926DL-T1-E3 | MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6 |
| SI1967DH-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
| SI1970DH-T1-GE3 | MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6 |
| SI2300DS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V SOT-23 |
| SI2302CDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1902DL-T3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R |
| SI1903DL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI1903DL_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI1903DL-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 0.44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1903DL-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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