| 型号: | SI2300DS-T1-GE3 |
| 厂商: | Vishay Siliconix |
| 文件页数: | 1/7页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET N-CH 30V SOT-23 |
| 标准包装: | 1 |
| 系列: | TrenchFET® |
| FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 3.6A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 68 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 320pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 1.7W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 供应商设备封装: | SOT-23-3(TO-236) |
| 包装: | 标准包装 |
| 其它名称: | SI2300DS-T1-GE3DKR |