- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录508 > SI2303BDS-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI2303BDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.49A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si2303BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 30
R DS(on) ( Ω )
0.200 at V GS = - 10 V
0.380 at V GS = - 4.5 V
I D (A) b
- 1.64
- 1.0
? Halogen-free Option Available
P b -free
A v aila b le
RoHS*
COMPLIANT
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
Top View
Si2303BDS (L3)*
* Marking Code
Ordering Information: Si2303BDS-T1
Si2303BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si2303BDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
Steady State
- 30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) b
Pulsed Drain Current a
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 1.64
- 1.31
- 10
- 1.49
- 1.2
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) b
I S
- 0.75
- 0.6
Power Dissipation b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
0.9
0.57
- 55 to 150
0.7
0.45
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient b
Maximum Junction-to-Ambient c
Symbol
R thJA
Typical
120
140
Maximum
145
175
Unit
°C/W
Notes:
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.
b. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 5 s.
c. Surface Mounted on FR4 board.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 72065
S-80642-Rev. C, 24-Mar-08
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI2304BDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 |
| SI2304DDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 |
| SI2305ADS-T1-E3 | MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 |
| SI2305CDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 |
| SI2305DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2303CDS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI2303CDS_13 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| Si2303CDS-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2303CDS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2303CDS-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V 2.7A TO-236 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。