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参数资料
| 型号： | SI2303BDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.49A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si2303BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
I D = 1.7 A
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.9
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
10
8
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.3
0.0
I D = 250 μA
6
4
- 0.3
- 0.6
2
0
T A = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited
by R DS(on)*
10 μs
100 μs
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power
10 ms
0.1
100 ms
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
DC, 100 s, 10 s, 1 s
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Square Wave Pulse Duration (s)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
www.vishay.com
4
Document Number: 72065
S-80642-Rev. C, 24-Mar-08
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI2303CDS-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V 2.7A TO-236 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236 |
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