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参数资料
| 型号： | SI2305DS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1245pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si2305DS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
-8
R DS(on) ( Ω )
0.052 at V GS = - 4.5 V
0.071 at V GS = - 2.5 V
0.108 at V GS = - 1.8 V
I D (A)
± 3.5
±3
±2
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFETs: 1.8 V Rated
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
Top View
Si2305DS (A5)*
* Marking Code
Ordering Information: Si2305DS-T1
Si2305DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si2305DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
-8
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a, b
Maximum Power Dissipation a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
± 3.5
± 2.8
± 12
- 1.6
1.25
0.8
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
t ≤ 5s
Steady State
R thJA
130
100
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
b. t ≤ 5 s.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 70833
S09-0133-Rev. E, 02-Feb-09
www.vishay.com
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PDF描述 |
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| SI2306BDS-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
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