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参数资料
| 型号： | SI2307CDS-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 88 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 340pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si2307CDS
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 30
R DS(on) ( Ω )
0.088 at V GS = - 10 V
0.138 at V GS = - 4.5 V
I D (A) a, b
- 2.7
- 2.2
Q g (Typ.)
4.1 nC
? Halogen-free Option Available
? TrenchFET ? Power MOSFET
APPLICATIONS
RoHS
COMPLIANT
TO-236
(SOT-23)
? Load Switch for Portable Devices
G
1
S
2
3
D
S
G
Top View
Si2307CDS (N7)*
* Marking Code
Ordering Information: Si2307CDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si2307CDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 30
± 20
- 3.5
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a, b
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
Continuous Source-Drain Diode Current a, b
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
- 2.8
- 2.7 a, b
- 2.2 a, b
- 12
- 1.5
- 0.91 a, b
1.8
A
Maximum Power Dissipation a, b
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
1.14
1.1 a, b
W
T A = 70 °C
0.7 a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature) c
T J , T stg
- 55 to 150
260
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a, c
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
R thJA
R thJF
90
55
115
70
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t = 5 s.
c. Maximum under Steady State conditions is 166 °C/W.
Document Number: 68768
S-81580-Rev. A, 07-Jul-08
www.vishay.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2307CDS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 2.7A 1.8W 88 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2307DS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI2307DS-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 3.0A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2307DS-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 3.0A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2308BDS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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