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参数资料
| 型号： | SI2315BDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 3.85A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 715pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si2315BDS
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 12
R DS(on) ( Ω )
0.050 at V GS = - 4.5 V
0.065 at V GS = - 2.5 V
0.100 at V GS = - 1.8V
I D (A)
- 3.85
- 3.4
- 2.7
? Halogen-free Option Available
? TrenchFET ? Power MOSFETs: 1.8 V Rated
P b -free
A v aila b le
RoHS*
COMPLIANT
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
Top View
Si2315BDS *(M5)
* Marking Code
Ordering Information: Si2315BDS-T1
Si2315BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si2315BDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
- 12
±8
Steady State
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current a
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 3.85
- 3.0
- 12
- 3.0
- 2.45
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 1.0
- 0.62
Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.19
0.76
- 55 to 150
0.75
0.48
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typ.
Max.
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
85
130
60
105
166
75
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
b. t ≤ 5 s.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 72014
S-80642-Rev. E, 24-Mar-08
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI2315DS | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
| SI2315DS | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
| SI2315DS-T1 | 功能描述:MOSFET 12V 3.5A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2315DS-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 3.5A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2316BDS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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