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参数资料
| 型号： | SI2315BDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 3.85A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 715pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si2315BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
12
12
10
8
6
4
V GS = 4.5 thru 2 V
1.5 V
10
8
6
4
T C = 125 °C
2
0
2
0
25 °C
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
6
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.30
0.25
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1200
1000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.20
0.15
800
600
C iss
0.10
V GS = 1.8 V
400
C oss
V GS = 2.5 V
0.05
0.00
V GS = 4.5 V
200
0
C rss
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
4
3
2
1
0
V DS = 6 V
I D = 3.5 A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5 V
I D = 3.5 A
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 72014
S-80642-Rev. E, 24-Mar-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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