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参数资料
| 型号： | SI2315BDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 3.85A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 715pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si2315BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
I D = 3.5 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
12
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.4
0.2
0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
I D = 250 μ A
10
8
6
4
2
0
T A = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited
Time (s)
Single Pulse Power
10
1
0.1
by R DS(on)*
T A = 25 °C
1 ms, 100 μ s
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC, 100 s
Single Pulse
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
www.vishay.com
4
* V GS
minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
Document Number: 72014
S-80642-Rev. E, 24-Mar-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI2315DS | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
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| SI2315DS-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 3.5A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2316BDS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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