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参数资料
| 型号： | SI2367DS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 561pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si2367DS
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( Ω )
0.066 at V GS = - 4.5 V
0.086 at V GS = - 2.5 V
0.130 at V GS = - 1.8 V
I D (A) d
- 3.8
- 3.3
- 2.7
Q g (Typ.)
9 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
TO-236
(SOT-23)
APPLICATIONS
? Load Switch for Portable Devices
? DC/DC Converter
G
1
S
3
D
S
2
Top View
Si2367DS (H7)*
G
* Marking Code
Ordering Information: Si2367DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 20
±8
- 3.8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
- 3.0
- 2.8 a, b
- 2.2 a, b
- 15
- 1.4
- 0.8 a, b
1.7
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
1.1
0.96 a, b
W
T A = 70 °C
0.62 a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a, c
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
R thJA
R thJF
100
60
130
75
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t = 5 s.
c. Maximum under Steady State conditions is 175 °C/W.
d. T C = 25 °C.
Document Number: 65015
S09-1218-Rev. A, 29-Jun-09
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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