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参数资料
| 型号： | SI2367DS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 561pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si2367DS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
t 1
t 2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
N otes:
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 175 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?65015 .
www.vishay.com
6
Document Number: 65015
S09-1218-Rev. A, 29-Jun-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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