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参数资料
| 型号： | SI2367DS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 561pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si2367DS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
0.30
I D = 2.5 A
0.24
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.1 8
0.12
T J = 125 °C
0.01
0.06
T J = 25 °C
0.001
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.3
I D = - 250 μA
24
0.2
1 8
0.1
I D = - 5 mA
12
0.0
- 0.1
- 0.2
6
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
0.1
100 ms
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
1 s, 10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 65015
S09-1218-Rev. A, 29-Jun-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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