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参数资料
| 型号： | SI3438DV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35.5 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si3438DV
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
I D (A) a
Q g (Typ.)
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
40
0.0355 at V GS = 10 V
0.0425 at V GS = 4.5 V
7.4
6.7
5.3 nC
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? DC/DC Converter
TSOP-6
Top View
D
1
6
D
D
(1, 2, 5, 6)
3 mm D
2
5
D
Marking Code
G
3
4
S
A W
XXX
Lot Tracea b ility
and Date Code
Part # Code
G
(3)
2. 8 5 mm
(4)
Orderin g Information: Si343 8 D V -T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si343 8 D V -T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N -Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
40
± 20
7.4
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
5.8
5.5 b, c
4.4 b, c
20
2.9
1.6 b,c
3.5
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
2.2
2 b,c
W
T A = 70 °C
1.25 b,c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Foot
b, d
t ≤ 5s
Steady State
R thJA
R thJF
50
28
62.5
35
°C/W
Notes:
a. Based on 25 °C.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.
Document Number: 68393
S09-0766-Rev. B, 04-May-09
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SI3438DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3440DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| SI3440DV_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| SI3440DV-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,1.2A I(D),TSOP |
| SI3440DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 150V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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