- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录508 > SI3438DV-T1-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 40V 6-TSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI3438DV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35.5 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si3438DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
N otes:
P DM
t 1
t 1
t 2
0.02
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 110 °C/ W
0.01
Single P u lse
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?68393 .
www.vishay.com
6
Document Number: 68393
S09-0766-Rev. B, 04-May-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3442CDV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP |
| SI3443BDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP |
| SI3443CDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP |
| SI3443DVTRPBF | MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP |
| SI3443DV | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3438DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3440DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| SI3440DV_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| SI3440DV-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,1.2A I(D),TSOP |
| SI3440DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 150V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。