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参数资料
| 型号： | SI2308BDS-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 156 毫欧 @ 1.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 190pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.66W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI2308BDS-T1-E3DKR |
New Product
Si2308BDS
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
I D (A) a
Q g (Typ.)
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
60
0.156 at V GS = 10 V
0.192 at V GS = 4.5 V
2.3
2.1
2.3 nC
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? 100 % UIS Tested
APPLICATIONS
? Battery Switch
? DC/DC Converter
TO-236
(SSOT23)
G
1
3
D
S
2
Top V ie w
Si230 8 BDS (L 8 )*
*Marking Code
Orderin g Information: Si230 8 BDS-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si230 8 BDS-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
60
± 20
2.3
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
1.8
1.9 b, c
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Avalanche Current
Single-Pulse Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
1.5 b, c
8
1.39
0.91 b, c
6
1.8
A
mJ
T C = 25 °C
1.66
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
1.06
1.09 b, c
W
T A = 70 °C
0.7 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient b, d ≤ 5s
Maximum Junction-to-Foot (Drain) Steady State
Symbol
R thJA
R thJF
Typical
90
60
Maximum
115
75
Unit
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under Steady State conditions is 130 °C/W.
Document Number: 69958
S-83053-Rev. B, 29-Dec-08
www.vishay.com
1
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参数描述 |
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| SI2308BDS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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