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参数资料
| 型号： | SI2308BDS-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 156 毫欧 @ 1.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 190pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.66W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI2308BDS-T1-E3DKR |
New Product
Si2308BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
V GS = 10 thru 5 V
4
8
V GS = 4 V
3
T C = - 55 °C
6
2
4
1
T C = 125 °C
2
0
V GS = 3 V
V GS = 2 V
0
T C = 25 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.7
1.4
2.1
2. 8
3.5
0.30
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
300
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
240
0.24
C iss
1 8 0
0.1 8
V GS = 4.5 V
120
V GS = 10 V
0.12
60
C oss
0.06
0
C rss
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 1.9 A
2.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
6
4
2
0
V DS = 30 V
V DS = 4 8 V
1.7
1.4
1.1
0. 8
0.5
V GS = 10 V, I D = 1.9 A
V GS = 4.5 V, I D = 1.7 A
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69958
S-83053-Rev. B, 29-Dec-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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