- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录508 > SI2312BDS-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI2312BDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 850mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI2312BDS-T1-GE3DKR |
Si2312BDS
Vishay Siliconix
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
20
R DS(on) ( Ω )
0.031 at V GS = 4.5 V
0.037 at V GS = 2.5 V
0.047 at V GS = 1.8 V
I D (A)
5.0
4.6
4.1
Q g (Typ.)
7.5
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
Top View
Si2312BDS (M2)*
* Marking Code
Ordering Information: Si2312BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si2312BDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
20
±8
Steady State
Unit
V
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current b
Avalanche Current b
Single Avalanche Energy
Power Dissipation a
a
T A = 25 °C
T A = 70 °C
L = 0.1 mH
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I AS
E AS
I S
P D
5.0
4.0
1.0
1.25
0.80
15
13
8.45
3.9
3.1
0.63
0.75
0.48
A
mJ
A
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
80
120
50
100
166
60
°C/W
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
Document Number: 73235
S10-0791-Rev. D, 05-Apr-10
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI2315BDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 |
| SI2335DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 |
| SI2367DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23 |
| SI2377EDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V SOT-23 |
| SI3424BDV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2312CDS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| SI2312CDS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2312DS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 -V (D-S) MOSFET |
| SI2312DS_05 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 -V (D-S) MOSFET |
| SI2312DST1 | 制造商:VISHAY 功能描述:MOSFET TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。