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参数资料
| 型号： | SI2308BDS-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 156 毫欧 @ 1.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 190pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.66W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI2308BDS-T1-E3DKR |
New Product
Si2308BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
0.35
0.30
I D = 1.9 A
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.25
T J = 125 °C
1
0.20
0.15
T J = 25 °C
0.1
0.10
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
3
4
5
6
7
8
9
10
2.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
8
2.1
I D = 250 μA
6
T A = 25 °C
Single P u lse
1. 8
4
1.5
2
1.2
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
10
Limited b y R DS(on) *
100 μ s
1
1 m s
10 m s
0.1
100 ms
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS Limited
1 s, 10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
Document Number: 69958
S-83053-Rev. B, 29-Dec-08
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI2308BDS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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