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参数资料
| 型号： | SI2307CDS-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 88 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 340pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si2307CDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
12
10
V GS = 10 thr u 6 V
V GS = 5 V
2.0
8
6
V GS = 4 V
1.5
1.0
T C = 25 °C
4
2
V GS = 3 V
0.5
T C = 125 °C
0
V GS = 2 V
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.20
0.15
0.10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
600
450
300
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.05
0.00
150
0
C rss
C oss
0
3
6
9
12
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 2.5 A
V DS = 15 V
1.6
I D = 3.2 A
V GS = 10 V
6
V DS = 7.5 V
1.4
V DS = 22.5 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68768
S-81580-Rev. A, 07-Jul-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2307CDS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 2.7A 1.8W 88 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2307DS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI2307DS-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 3.0A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2307DS-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 3.0A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2308BDS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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