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参数资料
| 型号： | SI2300DS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI2300DS-T1-GE3DKR |
New Product
Si2300DS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
15
25 °C, unless otherwise noted
5
V GS = 5 V thru 3 V
12
4
9
V GS = 2.5 V
3
T C = 125 °C
6
3
0
V GS = 2 V
2
1
0
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.20
0.16
0.12
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
450
360
270
C iss
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0 8
0.04
0.00
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
1 8 0
90
0
C oss
C rss
0
3
6
9
12
15
0
5
10
15
20
25
30
I D - DrainC u rrent(A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 3.1 A
1.6
I D = 2.9 A
V GS = 4.5 V
8
V DS = 7.5 V
1.5
V GS = 2.5 V
1.4
6
1.3
4
2
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1.2
1.1
1.0
0.9
0. 8
0
0
2
4
6
8
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 65701
S10-0111-Rev. A, 18-Jan-10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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