型号: | SI1902DL-T1-GE3 |
厂商: | Vishay Siliconix |
文件页数: | 4/9页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6 |
产品目录绘图: | DL-T1-E3 Series SOT-363 |
标准包装: | 1 |
系列: | TrenchFET® |
FET 型: | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 660mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 385 毫欧 @ 660ma,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 1.2nC @ 4.5V |
功率 - 最大: | 270mW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商设备封装: | SC-70-6 |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | SI1902DL-T1-GE3DKR |