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参数资料
| 型号： | SI1902DL-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6 |
| 产品目录绘图： | DL-T1-E3 Series SOT-363 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 660mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 385 毫欧 @ 660ma，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.2nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 270mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1902DL-T1-GE3DKR |
Si1902DL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1.0
0.8
100
80
C iss
0.6
0.4
0.2
0.0
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
60
40
20
0
C rss
C oss
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 0.66 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 0.66 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
- 50
- 25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
1.0
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 0.66 A
0.8
0.6
T J = 150 °C
0.1
T J = 25 °C
0.4
0.2
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Surge-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71080
S11-2043-Rev. J, 17-Oct-11
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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