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参数资料
| 型号： | SI1470DH-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V SC-70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1470DH-T1-GE3DKR |
Si1470DH
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
0.066 at V GS = 4.5 V
30
0.095 at V GS = 2.5 V
I D (A)
4.0 a
4.0
Q g (Typ.)
4.85
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g and UIS Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
APPLICATIONS
? Load Switch
D
1
6
D
D
Markin g Code
D
2
5
D
AK
XX
Lot Tracea b ility
G
3
4
S
and Date Code
G
Part # Code
Top V ie w
Orderin g Information: Si1470DH-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si1470DH-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwi se noted
S
N -Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
± 12
5.1
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I D
I DM
I AS
E AS
I S
4.0
3.8 b, c
3.1 b, c
12
10
5
2.3
1.3 b, c
A
mJ
A
T C = 25 °C
2.8
Maximum Power Dissipation a
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
1.8
1.5 b, c
W
T A = 70 °C
1.0 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
R thJA
R thJF
60
34
80
45
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under steady state conditions is 125 °C/W.
Document Number: 74277
S10-0646-Rev. B, 22-Mar-10
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| SI1471DH-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V SC-70-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SI1472DH | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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