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参数资料
| 型号： | SI1401EDH-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH F-D 12V SC-70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1401EDH-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SC-70: 6-Lead
0.067
(1.702)
0.016
(0.406)
0.026
(0.648)
0.010
(0.241)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
18
Document Number: 72602
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI1426DH-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-6 |
| SI1469DH-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V SC-70-6 |
| SI1470DH-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V SC-70-6 |
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| SI1557DH-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 12V SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1402DH | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI1402DH-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 3.4A 0.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1402DH-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SI1403BDL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI1403BDL-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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