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参数资料
| 型号： | SI1867DL-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LOAD SW LVL SHIFT 1.2A SC70-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 类型： | 高端开关 |
| 输出数： | 1 |
| Rds（开）： | 1.2 欧姆 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 600mA |
| 输入电压： | 1.8 V ~ 8 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si1867DL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1.6
1.4
1.2
2.0
1.6
1.2
V GS = 4.5 V
I D = 0.2 A
I D = 0.6 A
1.0
0. 8
0.6
I D = 0.6 A
V GS = 2.5 V
I D = 0.5 A
0. 8
0.4
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
14
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On Resistance vs. Junction Temperature
12
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
t f
I L = 1 A
t r
12
10
I L = 1 A
V O N /OFF = 3 V
C i = 10 μF
C o = 1 μF
10
8
V O N /OFF = 3 V
C i = 10 μF
C o = 1 μF
t f
8
6
6
t d(off)
4
t r
4
t d(off)
2
0
t d(on)
2
0
t d(on)
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
R2 (k Ω )
Switching Variation
R2 at V IN = 4.5 V, R1 = 20 k Ω
8 0
R2 (k Ω )
Switching Variation
R2 at V IN = 2.5 V, R1 = 20 k Ω
I L = 1 A
t r
t d(off)
10
V O N /OFF = 3 V
C i = 10 μF
C o = 1 μF
64
8
6
t f
4 8
t f
4
2
0
t d(off)
t d(on)
32
16
0
I L = 1 A
V O N /OFF = 3 V
C i = 10 μF
C o = 1 μF
t r
t d(on)
0
2
4
6
8
0
20
40
60
8 0
100
www.vishay.com
4
R2 (k Ω )
Switching Variation
R2 at V IN = 1.8 V, R1 = 20 k Ω
R2 (k Ω )
Switching Variation
R2 at V IN = 4.5 V, R1 = 300 k Ω
Document Number: 72534
S10-0792-Rev. D, 05-Apr-10
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| SI1869DH-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1900DL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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