- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录508 > SI2304BDS-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI2304BDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 225pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI2304BDS-T1-GE3DKR |
Si2304BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.24
0.20
350
300
0.16
0.12
250
200
C iss
0.08
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
150
100
0.04
0.00
50
0
C rss
C oss
0
2
4 6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
I D = 2.5 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 2.5 A
0
1
2 3 4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.20
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
1
T J = 150 °C
0.16
I D = 2.5 A
0.12
0.1
T J = 25 °C
0.08
0.01
0.001
0.04
0.00
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0
2 4 6 8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72503
S11-1908-Rev. E, 26-Sep-11
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI2304DDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 |
| SI2305ADS-T1-E3 | MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 |
| SI2305CDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 |
| SI2305DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3 |
| SI2306BDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2304DDS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI2304DDS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2304DDS-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 3.6A |
| SI2304DS | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 1.7A TO236AB |
| SI2304DS T/R | 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。