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参数资料
| 型号： | SI3402-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 16/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL POE FOR SI3402 |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | 特殊用途 DC/DC，以太网供电（POE） |
| 输出及类型： | 1，非隔离 |
| 输出电压： | 5V |
| 输入电压： | 44 ~ 57 V |
| 稳压器拓扑结构： | 降压 |
| 频率 - 开关： | 350kHz |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 已用 IC / 零件： | Si3402 |
| 其它名称： | 336-1827 |
Si3402
5. Package Outline
Figure 5 illustrates the package details for the Si3402. Table 12 lists the values for the dimensions shown in the
illustration.
Figure 5. 20-Lead Quad Flat No-Lead Package (QFN)
Table 12. Package Dimensions
Dimension
A
A1
b
D
D2
e
E
E2
L
L1
aaa
bbb
ccc
ddd
Min
0.80
0.00
0.25
2.60
2.60
0.50
0.00
—
—
—
—
Nom
0.85
0.02
0.30
5.00 BSC.
2.70
0.80 BSC.
5.00 BSC.
2.70
0.55
—
—
—
—
—
Max
0.90
0.05
0.35
2.80
2.80
0.60
0.10
0.10
0.10
0.08
0.10
Notes:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. This drawing conforms to the JEDEC Solid State Outline MO-220, Variation VHHB-1.
16
Rev. 1.31
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3460-EVB | BOARD EVAL POE FOR SI3460 |
| SI8220BD-A-IS | IC ISODRIVER 2.5A OPTO IN 16SOIC |
| SI8402AB-B-IS | IC I2C ISOLATOR BIDIR 8-SOIC |
| SI8405AB-A-IS1 | IC ISOLATOR 10M 6CH 2.5K 16SOIC |
| SI8423BD-B-IS | ISOLATOR 2CH 5KV 150M 16SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si3402ISO-EVB | 功能描述:电源管理IC开发工具 PoE Pwrd-Isolated Low-EMI Eval Board RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 产品:Evaluation Kits 类型:Battery Management 工具用于评估:MAX17710GB 输入电压: 输出电压:1.8 V |
| SI3403-A-GM | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:POE POWERED DEVICE (UP TO 17W, LOW-EMI) - RECOMMENDED FOR AL - Trays 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC POE CTLR TO 17W LOW EMI 20QFN 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:PoE Powered Device (up to 17W, low-EMI) |
| Si3403-A-GMR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:POE POWERED DEVICE (UP TO 17W, LOW-EMI) - RECOMMENDED FOR AL - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:PoE Powered Device (up to 17W, low-EMI) |
| SI3403DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 5.0A 3.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3403DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 5.0A 3.2W 70mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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