型号: | SI3424BDV-T1-GE3 |
厂商: | Vishay Siliconix |
文件页数: | 6/11页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP |
标准包装: | 3,000 |
系列: | TrenchFET® |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 28 毫欧 @ 7A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 19.6nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 735pF @ 15V |
功率 - 最大: | 2.98W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
供应商设备封装: | 6-TSOP |
包装: | 带卷 (TR) |