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参数资料
型号： SI3424DV-T1-GE3
厂商： Vishay Siliconix
文件页数： 8/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
标准包装： 3,000
系列： TrenchFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 28 毫欧 @ 6.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 18nC @ 10V
功率 - 最大： 1.14W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装： 6-TSOP
包装： 带卷 (TR)
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR TSOP-6
0.099
(2.510)
0.039
(1.001)
0.020
(0.508)
0.019
(0.493)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
26
Document Number: 72610
Revision: 21-Jan-08
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PDF描述
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SI3430DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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