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参数资料
| 型号： | SI3442CDV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 335pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI3442CDV-T1-GE3DKR |
Si3442CDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.08
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
0.06
0.04
I D = 6.5 A
T J = 125 ° C
0.02
T J = 25 ° C
0.1
0
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0
2 4 6 8
10
1.1
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
25
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
20
0.95
15
I D = 250 μA
0.8
10
0.65
5
0.5
0
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
100
Limited by R DS(on) *
10
100 μs
1
0.1
0.01
0.1
T A = 25 ° C
1 ms
10 ms
100 ms
10s ,1 s
DC
BVDSS Limited
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 62654
S12-0976-Rev. A, 30-Apr-12
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3443BDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP |
| SI3443CDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP |
| SI3443DVTRPBF | MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP |
| SI3443DV | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 |
| SI3445DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3442DV | 功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3442DV-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.0A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3443BDVT1 | 制造商:VISHAY 功能描述:New |
| SI3443BDV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.4A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3443BDV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.7A 2.0W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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