- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录508 > SI3454ADV-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI3454ADV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.14W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3454ADV
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.060 at V GS = 10 V
0.085 at V GS = 4.5 V
I D (A)
4.5
3.8
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
TSOP-6
Top View
(1, 2, 5, 6) D
1
6
3 mm
2
5
3
2.85 mm
4
(3) G
Ordering Information: Si3454ADV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si3454ADV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
(4) S
Marking Code:
A4xxx
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
Steady State
30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
4.5
3.6
20
3.4
2.7
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
1.7
1.0
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
2.0
1.3
- 55 to 150
1.14
0.73
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
50
90
30
62.5
110
36
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71108
S09-0765-Rev. D, 04-May-09
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3455ADV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP |
| SI3457BDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP |
| SI3457DV | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 |
| SI3458BDV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP |
| SI3460BDV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3454-B01-IM | 功能描述:IC POE PSE 4 PORT 802.3AT 38QFN 制造商:silicon labs 系列:- 零件状态:在售 类型:控制器（PSE），DC/DC 通道数:4 内部开关:无 辅助作用:无 标准:802.3at（PoE+），802.3af（PoE） 电压 - 电源:44 V ~ 57 V 电流 - 电源:2mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 标准包装:406 |
| SI3454CDV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3454CDV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.2A 1.5W 50mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3454CDV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.2A 1.5W 50mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3454DV | 功能描述:MOSFET 30V/20V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。