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参数资料
| 型号： | SI3457DV |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 470pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
April 2001
Si3457DV
Single P-Channel Logic Level PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced
using Fairchild’s advanced PowerTrench process. It
has been optimized for battery power management
? –4 A, –30 V.
R DS(ON) = 50 m ? @ V GS = –10 V
R DS(ON) = 75 m ? @ V GS = –4.5 V
applications.
Applications
? Battery management
? Load switch
? Battery protection
? Low gate charge
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
D
D
S
1
6
2
5
SuperSOT -6
TM
D
D
G
3
4
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–30
± 25
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–4
A
– Pulsed
–20
P D
Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
1.6
W
(Note 1b)
0.8
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
30
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.457
Device
Si3457DV
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Si3457DV Rev A 1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3458BDV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP |
| SI3460BDV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
| SI3460DV-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
| SI3464DV-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP |
| SI3467DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3457DV_Q | 功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3457DV-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 4.3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3457DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3458-B01-IM | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:POWER OVER ETHERNET CHIP QFN 56PIN 8X8MM - Bulk |
| SI3458BDV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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