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参数资料
| 型号： | SI3457DV |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 470pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
20
2
V GS = -10V
-6.0V
-5.0V
-4.5V
1.8
15
-4.0V
1.6
V GS = -4.5V
10
-3.5V
1.4
-5.0V
-6.0V
1.2
-7.0V
5
-3.0V
1
-8.0V
-10V
0
0.8
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = -4.0A
V GS = -10V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.22
I D = -2.0A
0.18
0.14
T A = 125 o C
0.1
T A = 25 o C
0.06
0.02
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
15
o
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
V GS = 0V
12
9
125 o
1
0.1
T A = 125 o C
6
3
0
0.01
0.001
0.0001
25 o C
-55 o C
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
Si3457DV Rev A 1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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