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参数资料
| 型号： | SI3455ADV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.14W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3455ADV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.30
0.24
0.18
0.12
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
700
600
500
400
300
C iss
0.06
0.00
200
100
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
6
12
18
24
30
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
I D = 3.5 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 3.5 A
0
3
6
9
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.30
0.24
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 3.5 A
0.18
0.12
T J = 25 °C
0.06
1
0.00
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71090
S09-0765-Rev. D, 04-May-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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