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参数资料
| 型号： | SI3458BDV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR TSOP-6
0.099
(2.510)
0.039
(1.001)
0.020
(0.508)
0.019
(0.493)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
26
Document Number: 72610
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3460BDV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
| SI3460DV-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
| SI3464DV-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP |
| SI3467DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP |
| SI3473DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3458DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| SI3458DVT1 | 制造商:VISHAY 功能描述:60V 3.2A 2W |
| SI3458DV-T1 | 功能描述:MOSFET 60V 3.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3458DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 3.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3458DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 3.2A 2.0W 100mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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