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参数资料
| 型号： | SI3458BDV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3458BDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
2.0
8
6
V GS = 10 V thr u 4 V
1.6
1.2
T C = - 55 °C
T C = 25 °C
4
0. 8
T C = 125 °C
2
0
V GS = 3 V
0.4
0
0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.15
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
400
0.12
V GS = 4.5 V
300
C iss
0.09
V GS = 10 V
200
0.06
100
C oss
0.03
0
C rss
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 3.2 A
1. 8
I D = 3.2 A
8
6
V DS = 30 V
1.6
1.4
V GS = 10 V
4
V DS = 4 8 V
1.2
1.0
V GS = 4.5 V
0. 8
2
0.6
0
0.4
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69501
S09-0660-Rev. B, 20-Apr-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3460BDV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3458DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| SI3458DVT1 | 制造商:VISHAY 功能描述:60V 3.2A 2W |
| SI3458DV-T1 | 功能描述:MOSFET 60V 3.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3458DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 3.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3458DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 3.2A 2.0W 100mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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