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参数资料
| 型号： | SI3458DV |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | N通道60V（D-S）MOSFET |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | SI3458DV |
Si3458DV
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70859
S-61517—Rev. B, 12-Apr-99
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–0.0
0.2
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
1.0
1.2
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
2
4
6
8
10
1
10
20
I
D
= 3.2 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
– Temperature ( C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
2
1
0.1
0.01
10
–3
10
–2
1
10
600
10
–1
10
–4
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
100
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 106 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.001
0
1
15
25
5
10
10
600
0.1
P
Single Pulse Power
Time (sec)
20
100
0.01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI3458DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 3.2A 2.0W 100mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3459BDV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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