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参数资料
| 型号： | SI3460BDV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 860pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3460BDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
10
V GS = 5 V thr u 2 V
8
15
6
10
1.5 V
4
T C = 125 °C
5
0
1 V
2
0
25 °C
- 55 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1. 8
0.060
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 1. 8 V
1200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.050
0.040
900
600
C iss
0.030
V GS = 2.5 V
300
C oss
0.020
V GS = 4.5 V
0
C rss
0
5
10
15
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
7
6
V DS = 10 V
I D = 8 A
1.6
I D = 5.1 A
1.4
5
4
3
V DS = 16 V
I D = 8 A
1.2
1.0
2
0. 8
1
0
0.6
0
3
6
9
12
15
1 8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74412
S09-1498-Rev. C, 10-Aug-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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