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参数资料
| 型号： | SI3460BDV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 860pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3460BDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.0 8
0.07
I D = 5.1 A
25 °C
0.06
0.05
T J = 150 °C
I D = 5.1 A
10
1
T J = 25 °C
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
125 °C
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1
1.2
0
1
2
3
4
5
0. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.7
I D = 250 μ A
40
0.6
30
0.5
20
0.4
0.3
0.2
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
100
Limited b y R DS(on) *
10
1 ms
1
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
1s
10 s
DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74412
S09-1498-Rev. C, 10-Aug-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3460DV-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SI3460DDV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| SI3460DDV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 7.9A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3460DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI3460DV-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 6.8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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