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参数资料
| 型号： | SI3460DV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3460DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.06
0.05
2000
1600
0.04
0.03
0.02
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
1200
800
C iss
0.01
0.00
400
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 5.1 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 5.1 A
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.06
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
I D = 5.1 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71329
S09-0531-Rev. D, 06-Apr-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| Si3460-E03-GM | 功能描述:热插拔功率分布 Single-port PoE PSE I/F w/DC-DC ctrlr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:Controllers & Switches 电流限制: 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 0.3 V 工作温度范围: 功率耗散: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Tube |
| SI3460-E03-GMR | 功能描述:PMIC 解决方案 Single-port PoE PSE I-face DC-DC Ctrlr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-24 封装:Reel |
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