型号: | SI3460DV-T1-E3 |
厂商: | Vishay Siliconix |
文件页数: | 7/9页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
标准包装: | 3,000 |
系列: | TrenchFET® |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 5.1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 27 毫欧 @ 5.1A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 450mV @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
功率 - 最大: | 1.1W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
供应商设备封装: | 6-TSOP |
包装: | 带卷 (TR) |