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参数资料
| 型号： | SI3467DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.14W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3467DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.30
25 °C, unless otherwise noted
800
700
0.25
600
0.20
0.15
0.10
V GS = 4.5 V
500
400
300
C iss
C oss
0.05
0.00
V GS = 10 V
200
100
0
C rss
0
5
10
15
20
25
0
4
8
12
16
20
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 5 A
V DS = 10 V
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
I D = 5 A
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.30
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 1.1 A
0.25
T J = 150 °C
10
1
T J = 25 °C
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
I D = 5 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72658
S09-0765-Rev. C, 04-May-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI3469DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.7A 0.03Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3469DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.7A 2.0W 30mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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