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参数资料
| 型号： | SI3483DV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | P沟道30V的MOSFET |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | SI3483DV-T1-E3 |
Si3483DV
Vishay Siliconix
Document Number: 72078
S-40238—Rev. B, 16-Feb-04
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3483DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.2A 2.0W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3493BDV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI3493BDV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3493BDV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3493DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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