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参数资料
| 型号： | SI3853DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | LITTLE FOOT® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 500mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 830mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3853DV
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
I D (A)
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
- 20
0.200 at V GS = - 4.5 V
0.340 at V GS = - 2.5 V
± 1.8
± 1.3
? LITTLE FOOT ? Plus
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY
V KA (V)
20
V F (V)
Diode Forward Voltage
0.48 V at 0.5 A
I F (A)
0.5
TSOP-6
Top View
S
K
A
1
6
K
3 mm
S
G
2
3
5
4
N /C
D
G
2. 8 5 mm
Orderin g Information: Si3 8 53D V -T1-E3 (Lead (P b )-free)
D
A
Si3 8 53D V -T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwis e noted
Parameter
Drain-Source Voltage (MOSFET and Schottky)
Symbol
V DS
5s
- 20
Steady State
Unit
Reverse Voltage (Schottky)
Gate-Source Voltage (MOSFET)
V KA
V GS
± 12
20
± 12
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) (MOSFET) a
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
± 1.8
± 1.5
± 1.6
± 1.2
Pulsed Drain Current (MOSFET)
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction) a
I DM
I S
- 1.05
±7
- 0.75
A
Average Forward Current (Schottky)
Pulsed Foward Current (Schottky)
I F
I FM
0.5
7
Maximum Power Dissipation (MOSFET) a
Maximum Power Dissipation (Schottky) a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.15
0.73
1.0
0.64
- 55 to 150
0.83
0.53
0.76
0.48
W
°C
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 70979
S09-2276-Rev. B, 02-Nov-09
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3861 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Integrated Load Switch |
| SI3861BDV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Load Switch with Level-Shift |
| SI3861BDV-T1-E3 | 功能描述:电源开关 IC - 配电 20V 2.3A 0.83W RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
| SI3861BDV-T1-GE3 | 功能描述:模拟开关 IC 20V 2.3A 0.83W 145mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| SI3861DV | 功能描述:MOSFET 25/8V/20/8V NCh/PCh Load Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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