- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录509 > SI3867DV-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI3867DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 51 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3867DV
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( Ω )
0.051 at V GS = - 4.5 V
0.067 at V GS = - 3.3 V
0.100 at V GS = - 2.5 V
I D (A)
- 5.1
- 4.5
- 3.7
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? PWM Optimized
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? DC/DC
- HDD
- Power Supplies
? Portable Devices Such As Cell Phones, PDA, DSC, and
TSOP-6
Top View
1
6
DVC
(4) S
3 mm
2
3
5
4
(3) G
2.85 mm
(1, 2, 5, 6) D
Ordering Information: Si3867DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si3867DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
Steady State
- 20
± 12
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
- 5.1
- 3.7
- 20
- 3.9
- 2.8
A
Continuous Diode Current (Diode Conduction) a
I S
- 1.7
- 0.9
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 85 °C
P D
T J , T stg
2.0
1.0
- 55 to 150
1.1
0.6
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
45
90
25
62.5
110
30
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 72068
S09-2275-Rev. D, 02-Nov-09
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3905DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 8V 6-TSOP |
| SI3909DV-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP |
| SI3911DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH DUAL 20V 6TSOP |
| SI3981DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP |
| SI3983DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3872DV-T1 | 功能描述:MOSFET 30/-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3872DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30/-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3879DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SI3879DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 5.0A 3.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3879DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 5.0A 3.3W 70mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。