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参数资料
| 型号： | SI3983DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 830mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3983DV
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( Ω )
0.110 at V GS = - 4.5 V
0.145 at V GS = - 2.5 V
0.220 at V GS = - 1.8 V
I D (A)
- 2.5
- 2.0
- 1.0
? Halogen free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET? Power MOSFET
? Symetrical Dual P-Channel
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Battery Switch for Portable Devices
? Computers
- Bus Switch
- Load Switch
TSOP-6
Top View
S 1
S 2
G1
1
6
D1
3 mm
S2
2
5
S1
G 1
G 2
G2
3
4
D2
2.85 mm
Ordering Information: Si3983DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si3983DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen free)
D 1
D 2
Marking Code:
MDxxx
P-Channel MOSFET
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
Steady State
- 20
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 2.5
- 2.0
-8
- 2.1
- 1.7
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 1.05
- 0.75
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.15
0.73
- 55 to 150
0.83
0.53
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
93
130
90
110
150
90
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 72316
S09-2277-Rev. D, 02-Nov-09
www.vishay.com
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