- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录509 > SI3983DV-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI3983DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 830mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3983DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
8
0.3
6
0.2
I D = 250 μA
0.1
4
0.0
2
- 0.1
- 0.2
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
30
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
10
1
Limited by
R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single Pulse
100 ms
1 s, 10 s
DC
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Notes:
P DM
t 1
t 2
0.1
0.01
0.05
0.02
Single Pulse
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 130 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72316
S09-2277-Rev. D, 02-Nov-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4056DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC |
| SI4100DY-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC |
| SI4104DY-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC |
| SI4108DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC |
| SI4122DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3993CDV-T1-GE3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET PP CH 30V 2.9A W/D TSOP6 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, PP CH, 30V, 2.9A, W/D, TSOP6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET, PP CH, 30V, 2.9A, W/D, TSOP6, Transistor Polarity:P Channel, Continuous |
| SI3993DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 30V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3993DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 2.2A 1.15W 133mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI40015S99 | 制造商:ABB Control 功能描述:STARTER STAR DELTA 15W 400V |
| SI40022S99 | 制造商:ABB Control 功能描述:STARTER STAR DELTA 22KW 400V 制造商:ABB Control 功能描述:STARTER STAR DELTA, 22KW 400V |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。