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参数资料
| 型号： | SI3983DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 830mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3983DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.75
0.60
25 °C, unless otherwise noted
650
520
0.45
0.30
V GS = 1.8 V
390
260
C iss
0.15
V GS = 2.5 V
130
C oss
0.00
V GS = 4.5 V
0
C rss
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
4
8
12
16
20
6.5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
5.2
3.9
2.6
1.3
0.0
I D = 2.5 A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
I D = 2.5 A
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
1
0.1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 2.5 A
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72316
S09-2277-Rev. D, 02-Nov-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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