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参数资料
| 型号： | SI4136-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 33/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4136 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 频率合成器 |
| 频率： | 2.3GHz ~ 2.5GHz，2.025GHz ~ 2.3GHz |
| 适用于相关产品： | SI4136 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 产品目录页面： | 585 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1558 SI4136-EVB-ND |
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Si4136/Si4126
8
Rev. 1.41
Table 5. RF and IF Synthesizer Characteristics
(VDD = 2.7 to 3.6 V, TA = –40 to 85 °C)
Parameter1
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
XIN Input Frequency
f
REF
XINDIV2 = 0
2
—
25
MHz
XIN Input Frequency
fREF
XINDIV2 = 1
25
—
50
MHz
Reference Amplifier Sensitivity
VREF
0.5
—
VDD
+0.3 V
VPP
Phase Detector Update Frequency
f
f= fREF/R for
XINDIV2 = 0
f= fREF/2R for
XINDIV2 = 1
0.010
—
1.0
MHz
RF1 VCO Tuning Range2
2300
—
2500
MHz
RF2 VCO Tuning Range2
2025
—
2300
MHz
IF VCO Center Frequency Range
fCEN
526
—
952
MHz
IFOUT Tuning Range from fCEN
with IFDIV
62.5
—
1000
MHz
IFOUT VCO Tuning Range from fCEN
Note: L ±10%
–5
—
5
%
RF1 VCO Pushing
Open loop
—
0.75
—
MHz/V
RF2 VCO Pushing
—
0.65
—
MHz/V
IF VCO Pushing
—
0.10
—
MHz/V
RF1 VCO Pulling
VSWR = 2:1, all
phases, open loop
—
0.250
—
MHz p-p
RF2 VCO Pulling
—
0.100
—
MHz p-p
IF VCO Pulling
—
0.025
—
MHz p-p
RF1 Phase Noise
1 MHz offset
—
–130
—
dBc/Hz
RF1 Integrated Phase Error
100 Hz to 100 kHz
—
1.2
—
degrees
rms
RF2 Phase Noise
1 MHz offset
—
–131
—
dBc/Hz
RF2 Integrated Phase Error
100 Hz to 100 kHz
—
1.0
—
degrees
rms
IF Phase Noise at 800 MHz
100 kHz offset
—
–104
—
dBc/Hz
IF Integrated Phase Error
100 Hz to 100 kHz
—
0.4
—
degrees
rms
Notes:
1. f(RF) = 1 MHz, f(IF) = 1 MHz, RF1 = 2.4 GHz, RF2 = 2.1 GHz, IFOUT = 800 MHz, LPWR = 0, for all parameters
unless otherwise noted.
2. RF VCO tuning range limits are fixed by inductance of internally bonded wires.
3. From powerup request (PWDN
or SEN during a write of 1 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to RF and IF
synthesizers ready (settled to within 0.1 ppm frequency error).
4. From powerdown request (PWDN
, or SENduring a write of 0 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to supply current
equal to IPWDN.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4133M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4133 |
| SI4133-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4133 |
| LM113-200.0M | OSC 200.0000 MHZ 3.3V LVDS |
| TC32M6A32K7680 | OSCILLATOR 32.7680 KHZ 1.8V SMD |
| CGH40010F-TB | BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40010 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4136-F-BM | 功能描述:射频无线杂项 WLAN Sat Radio Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4136-F-BMR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI4136-F-BT | 功能描述:射频无线杂项 WLAN Sat Radio Synthesizer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4136-F-GM | 功能描述:射频无线杂项 WLAN SATELITE RADIO MLP-28 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4136-F-GMR | 功能描述:时钟发生器及支持产品 WLAN Satellite Radio Synthesizer RoHS:否 制造商:Silicon Labs 类型:Clock Generators 最大输入频率:14.318 MHz 最大输出频率:166 MHz 输出端数量:16 占空比 - 最大:55 % 工作电源电压:3.3 V 工作电源电流:1 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-56 |
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